新能源汽车、智能电网、光（guāng）伏风电、5G通（tōng）信（xìn）……无论是在产业发展（zhǎn）的重要领（lǐng）域，还是在日常电子产品中（zhōng），都离不开碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场（chǎng）效应晶体管）等功率电子器（qì）件。随着市场（chǎng）需求激增，为进一步降低生产成本（běn），更好地满足大规模生产需求，8英寸及以（yǐ）上大尺寸碳化硅衬底成为技术攻关的重（chóng）点。

　　电科装（zhuāng）备坚持“装备+工艺+服务”理（lǐ）念，紧盯大尺寸发展（zhǎn）趋势，自（zì）主研发了多款碳化硅衬底材料加工关键装（zhuāng）备，形成大尺寸加工智（zhì）能解决方案，以线带面，赋（fù）能我国化合（hé）物半导（dǎo）体产（chǎn）业优化升级。

　　冠军产品发（fā）挥集成优势

　　产线竞（jìng）争优（yōu）势从何（hé）而（ér）来？降低成本（běn）、提高效率、扩大产（chǎn）能（néng）是关键。

　　基于对产（chǎn）业链（liàn）需求的精准把握，电（diàn）科装备直击行（háng）业痛点，培育了晶锭（dìng）减薄设（shè）备、激光剥（bāo）离设（shè）备、晶片减薄设备、化学机械抛光设备等明星产品，形成8至（zhì）12英寸碳化硅材料加工智能（néng）解决方案。

　　“我们是国内首个同时具备（bèi）四种设备且提供（gòng）智能集成服务的（de）供应商。”电科专家表示，“在加工效率（lǜ）方面，该解决方案可将（jiāng）单（dān）片加工时间（jiān）由90分钟缩短到25分钟左右；在（zài）成本控制（zhì）方（fāng）面，将单片损失从220微米减少到80微米，每个晶锭可切（qiē）割晶片（piàn）的数量约为现有（yǒu）工艺的1.4倍，有效解决当前的（de）效率和成（chéng）本（běn）痛点（diǎn）。”

　　高（gāo）度智（zhì）能（néng）实现（xiàn）协同效应

　　在（zài）碳（tàn）化（huà）硅衬底生产线上，电科装备的加工智能解决方案（àn）因（yīn）其高度自动（dòng）化，实现了设备与产线的完美融合。

　　与传统的（de）材料加工自动（dòng）化程度不高、重点（diǎn）依赖人力（lì）相比，该方案（àn）四个（gè）核心设备都具（jù）备高度自（zì）动化能力，且（qiě）在生产过程中可（kě）通（tōng）过搬送机器（qì）人等（děng）实（shí）现机台（tái）间的物料传输，实（shí）现多工（gōng）序协同工（gōng）作，进一步减少（shǎo）等待时间（jiān），缩（suō）短产品生产周（zhōu）期，提高整体生产效率。

　　同时，自动化生（shēng）产流（liú）程能让人为误差降至最低，保障产品良率（lǜ）和一致（zhì）性，配（pèi）套的全流程数据（jù）记录与分析也更利于（yú）工（gōng）程师（shī）快速定位质量问题（tí）根源，不断改进生产工艺，为半（bàn）导体（tǐ）产业发展带来更（gèng）多增值空间。

　　全新工艺加（jiā）速产能释放

　　“如今碳化硅行（háng）业价格战打（dǎ）得火热，面（miàn）对愈演愈烈的竞争形势，我们致（zhì）力于开发（fā）新（xīn）技术新工艺（yì），为（wéi）客户提供更优（yōu）质的解（jiě）决方案来降低制造成本，而不是在低效的价格（gé）内卷中停滞不前。”专（zhuān）家表示。

　　在该解决方案（àn）中（zhōng），电科装备采用最新激光剥离工（gōng）艺进行（háng）晶体切片，相较于传统加工产线采（cǎi）用的多线（xiàn）切割晶体切片技术，激光剥离设备可以（yǐ）使激光聚焦在碳化硅晶体内部诱导（dǎo）产生（shēng）一（yī）层（céng）裂纹，从而避免了传统（tǒng）多线切割造成的切割线损，平均每片切割研磨损（sǔn）耗仅为（wéi）原来的40%左右（yòu），显著降低加工成本。 目前（qián）该解（jiě）决方案已（yǐ）获得市场积极反（fǎn）馈，进入（rù）用户产（chǎn）线开展（zhǎn）试验（yàn）验证，并与（yǔ）多家头（tóu）部企业达（dá）成（chéng）意向（xiàng）合作。

　　“这是一（yī）次装备、工艺、服务全面（miàn）整合升级的大胆实践。”专家表示，未来电（diàn）科装备将（jiāng）不断优（yōu）化该（gāi）解（jiě）决方案，坚持创新驱动（dòng），以技术（shù）创新推动产业创（chuàng）新，为我国化合物半导体产（chǎn）业的高质量发展贡献力（lì）量。